极紫外光刻动态气体锁抑制率的仿真研究

以清洁气体种类和流量以及污染气体放气率为变量, 进行了单组分清洁气体的动态气体锁(DGL)流场仿真, 并以混合清洁气体的体积比为变量进行了多组分清洁气体DGL流场仿真。仿真结果表明, DGL抑制率随清洁气体流量和分子量的增加而增加, 但与污染气体放气率的变化无关。对于多组分清洁气体, 当大分子量清洁气体的体积分数增加时,DGL抑制率近似不变。在实际工程中建议以氢气和氩气的混合气体作为DGL的清洁气体。当清洁气体流量为6.5 Pa·m3·s-1时, 约25%的清洁气体流入硅片室, DGL抑制率约为75%。该仿真结果为研制极紫外光刻机DGL提供了依据。