碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟

用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶核,其生长模式为二维岛核生长模式。当生长温度升高时,岛核主要分布于台阶边缘,晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式。其次,在沉积速率较低时,晶体主要生长方式为台阶推进模式,随着沉积速率增加, 晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式。最后,岛核密度随平台宽度的增加而增加,在较低温度下,平台宽度对岛核密度的影响更加明显。