碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用

王强,李玉国,石礼伟,孙海波(山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014)摘要:概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。 关键词:宽带隙半导体;碳化硅;光电子学1 IntroductionAs it is well known,the traditional Si and GaAs devices are inapplicable at the temperature above 250 °C,and they cannot perform well under the conditions of hi