化学气相沉积法制备ZnSe多晶材料的缺陷研究

本文介绍了ZnSe晶体的制备方法及其重要应用背景, 系统地总结了化学气相沉积法(CVD)制备ZnSe过程中产生的各类缺陷, 包括云雾、孔洞和微裂纹、 夹杂、分层和胞状物。采用SEM、体视显微镜、金相显微镜、傅里叶光谱仪等方法对缺陷进行了表征。结合国内外文献和检测结果, 对各类缺陷可能的产生机 理及抑制方法进行了阐述与分析。