一种用于TCXO芯片的带隙基准及过温保护电路设计

基于BiCMOS工艺设计低温漂、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源及过温保护复合电路。带隙基准采用自偏置电流源和差分运放一体化结构,过温保护电路用NPN管采集电流大小实现振荡器的起振或关断。仿真结果表明:带隙恒为1.24 V,温度在-40 °C到125 °C变化时,输出变化不超过0.78 mV,复合电路电源抑制比高达95 dB;超温关断时间0.071 s,迟滞开启时间0.064 s,复合电路能为TCXO芯片提供稳定的基准参考和较好的过温保护效果,有很大的实用价值。