一种低功耗高精度带隙基准的设计

基于UMC 0.25 μm BCD 工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明,电源电压5 V时,静态电流功耗为3.16 μA;电源电压2.5 V~5.5 V,基准电压变化53 μV;温度在-40 °C~130 °C内,电路的温度系数为 0.86×10-6/°C;三种工艺角下,低频时电路电源抑制比都小于-95 dB。