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解密硅上GaN LED

上传者: 2021-01-16 18:26:15上传 PDF文件 295.13KB 热度 8次
硅上GaNLED不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40%。
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