降低CMOS FPGA封装中同步开关噪声和I/O返回电流的联合效应

引言:在FPGA封装模型中对SSN噪声有贡献的因素包括PDN和I/O网络,作者验证了封装模型在SSN仿真以及实现测试数据的相关性,并通过采用封装PDN模型,分析了封装内和片上去耦合电容对噪声消减的有效性。 图1:在FPGA封装中的同步开关噪声。 图2:SSN的实际情况(在这里产生了地弹)。 图3:仿真设置示意图。 图4:对地和带负载的开关I/O的仿真SSN。 图5:不同片上去耦电容实现的频域PDN情况。 图6:开关I/O和不同封装内去耦电容实现的PDN中产生的相对的电源-地噪声。 图7:采用不同硅片上去耦合电容实现的频域PDN情形。 图8:开关I/O与采用不同片上去耦电容