降低CMOS FPGA封装中开关噪声和I/O返回电流的联合效应

互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展使电路密度迅速增加,器件的开关速度更快,以及更高的输入和输出密度。这些趋势使得电路设计具有在高时钟频率下的大量同步开关活动,其结果是增加了同步开关噪声(SSN),这是电源分布网络(PDN)中delta-I噪声、返回电流共享I/O网络中的共同路径、发射噪声和耦合噪声的组合影响。