NTR1P02T1的技术参数

产品型号:NTR1P02T1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V最大漏极电流Id(on)(A):-1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20