NTR1P02LT1G的技术参数

产品型号:NTR1P02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-55 ~150描述:-20 V, -1.3 A,双功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20