NTR1P02LT1的技术参数

产品型号:NTR1P02LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):-1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:-1.3A,-20V功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20