1. 首页
  2. 移动开发
  3. WindowsPhone
  4. NTR1P02LT1的技术参数

NTR1P02LT1的技术参数

上传者: 2020-12-13 16:12:40上传 PDF文件 25.66KB 热度 8次
产品型号:NTR1P02LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):-1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:-1.3A,-20V功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20
下载地址
用户评论