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MMBF2202PT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 16:10:57上传 PDF文件 25.52KB 热度 6次
产品型号:MMBF2202PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.500最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥1.10
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