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MMBF170LT1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 06:34:32上传 PDF文件 25.72KB 热度 11次
产品型号:MMBF170LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):0.500通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥.60
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