NTHS5404T1G的技术参数

产品型号:NTHS5404T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):7.200通道极性:N沟道封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:20V, 7.2A,功率MOSFET价格/1片(套):¥2.74