MMFT960T1G的技术参数

产品型号:MMFT960T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.700最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55~150描述:0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥2.74