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NTHS5443T1G的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:54:57上传 PDF文件 26.34KB 热度 5次
产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(°C):ChipFET/-55~150描述:-20V, -4.9 A功率MOSFET价格/1片(套):¥2.44
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