至此,I区杂质As在I、II、III区中的浓度分布 C1(x,t)、C2(x,t)、C3(x,t)均已求出。同理,可以得到III区低浓度杂质在III、II、I区中的分布C4(x,t)、C5(x,t)、C6(x,t)。令I、III区杂质的分凝系数为m0、m1,k0=1/m0,k1=1/m1。两种杂质分布相迭加,得I、II、III区净杂质浓度分布: 在硅-硅直接键合的过程中,由于中间本征氧化层的存在,对杂质的扩散产生了很大影响,在杂质由Si中进入SiO2时,由于杂质SiO2中的扩散系数远小于Si中的扩散系数,阻止了杂质的扩散;在杂质由SiO2中进入Si时
