NTP2955G的技术参数

产品型号:NTP2955G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):196最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(°C):TO-220/-55 ~150描述:-60 V, -12 A功率MOSFET价格/1片(套):¥5.00