电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型

MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米,栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中,考虑了小尺寸器件的一些二级效应的影响。该模型适于沟长大于2微米,沟道宽度在6微米左右,栅氧化层厚度大于250埃的MOSFET。考虑的主要的二级效应包括:(1) 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。(2) 表面电场对载流子迁移率的影响。(3) 载流子的漂移度饱和。(4) 亚阈值电流(弱反型电流)。 计算速度慢, 精度仍不够, 输出电阻