MTW32N20EG的技术参数

产品型号:MTW32N20EG源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-247/-55~150描述:小信号N沟道TO-247封装场效应管价格/1片(套):¥48.50