1. 首页
  2. 大数据
  3. Hadoop
  4. NTP30N20的技术参数

NTP30N20的技术参数

上传者: 2020-12-13 08:47:35上传 PDF文件 25.92KB 热度 4次
产品型号:NTP30N20源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):68@10V最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-55~175描述:45A,30V功率MOSFET价格/1片(套):¥15.50
用户评论