四氯化硅氢气还原法外延原理

§2.2.1 四氯化硅的氢气还原法外延生长过程 1 化学原理 1.1 四氯化硅的氢气还原机理 1.1.1 为吸热反应 1.1.2 伴有有害副反应 1.1.3 整个反应过程分两步进行 1.2 反应步骤分析 1.2.1 四氯化硅质量转移到生长层表面 1.2.2 四氯化硅在生长层表面被吸附 1.2.3 在生长层表面上四氯化硅与氢气反应 1.2.4 副产物的排除 1.2.5 硅原子在生长层表面的加接 2 {111}面硅外延生长的结晶学原理 2.1 晶核的形成 2.1.1 结晶学核化理论 2.1.2 共价键理论 2.2