DPN MOS 绝缘栅氮处理技术

黄英,许志,Kim Sung Lak, Zhao Richard,利定东(应用材料中国公司,上海 201203)摘要:分析了90nm及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性,强调了等离子体氮处理技术在90nm及其以下技术中的必要性。介绍了应用材料公司DPN MOS绝缘栅氮处理技术,并出示了部分试验数据。 关键词:氮处理技术;栅氧化;应用材料 中图分类号: TN305 文献标识码: B 文章编号:1003-353X(2004)05-0029-021 引言 自1957年发明MOS晶体管以来,由于SiO2易于与平面晶体管工艺集成,MOS绝缘栅普遍采用SiO2。随着集成度的不断提高,绝缘栅厚度也在不