绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识

绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识 1.增强型NMOS管 s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表面加SiO2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。 2.增强型PMOS管 在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 3.增强型NMOS管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置： (1)VGS=0, VDS=0：漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即iD≈0。