CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择 上传者：qq_22845 2020-12-13 00:30:17上传 PDF文件 85.89KB 热度 19次 (1) p阱工艺 实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年 发展起来的,因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差,使得在没有沟道离子注入技术的条件下,制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是,采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件,采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件,在当时成为最佳的工艺组合。 考虑到空穴的迁移率比电子迁移率要低近2倍多,且迁移率的数值是掺杂浓度的函数(轻掺杂衬底的载流子迁移率较高) 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 qq_22845 资源：408 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
