基于CMOS工艺的RF集成电路设计

近年来,有关将CMOS工艺在射频(RF)技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz,这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前,几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下变频器、低相位噪声压控振荡器(VCO)和双模数预分频器。