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CMOS集成电路工艺.rar

上传者: 2020-07-27 03:44:12上传 RAR文件 22.12MB 热度 25次
生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区,非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层
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