电源技术中的MOS晶体管的平方律转移特性

将MOS晶体管的栅漏连接,因为VGS=VDS,所以,VDS>VGS-VTN, 导通的器件一定工作在饱和区。这时,晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程 IDS=KN/2·W/L·(VGS-VTN)2(1+λVDS) 即平方律关系。4种MOS晶体管的平方律转移特性如图所示,这样的连接方式在许多设计中被采用。