CVD

化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 CVD技术特点:具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜,例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 常用的CVD技術有:(1) 常压化学气相淀积(APCVD);(2) 低压化學气相淀积(LPCVD);(3) 等离子增强化學气相淀积(PECVD)较为常见的CVD薄膜包括有: 二氧化硅(通常直接称为氧化层)