Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ

Vishay公司推出五款新型P通道负载开关,这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件,而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规范,这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路,并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。 这五款功率MOSFET中的两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件,它们分别具有20V (Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏极到源极击穿电压,在栅极驱动电压为1.5V时,导通电阻分别为47mΩ和45mΩ。 另外三款器件是-8V的Si8419D