元器件应用中的飞兆NPT沟道IGBT针对电磁加热应用提供最佳抗雪崩能力..

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。 FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10°C,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。