比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。 新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称,新产品比现行普通闪存快30倍以上。 三星说,新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上,三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片。 当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—NOR和NAND。 NOR闪存适合直接运行软件,但是它速度较慢,而且制造价格昂贵。NAND闪存容易大规模制造,更