三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片 上传者：tcplayeryue 2020-11-26 23:04:14上传 PDF文件 43.51KB 热度 10次 北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。 三星电子公司表示,他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前,该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用五十纳米工艺。 三星电子公司在一份声明中说,64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。 三星电子公司表示,64GB的闪存芯片属于全世界首创。它的问世,也是闪存行业连续八年让容量翻倍,也是连续七 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 tcplayeryue 资源：466 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
