三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存

今日,三星公司对外宣布,他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心(MLC)的设计采用了一个4KB的页值,而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此,新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍,写速度快50%。 三星50nm 16Gb NAND闪存芯片 当设计到计算机存储技术时,硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”(SSD)技术,以替代现有高速运转盘,从而降低应用程序加载的时间。 统硬盘相比,SSD响应快速,