ST首款90纳米512M NOR闪存出炉 读取速率达133MHz

意法半导体(ST)日前推出最新一代手机专用NOR闪存子系统。新的多片子系统在一个封装内整合了ST新开发的256Mbit和512Mbit的单片NOR闪存芯片,以及PSRAM(伪静态随机存取存储器)或LPSDRAM(小功率同步动态随机存取存储器)。最新NOR闪存子系统专为第三代手机应用设计,采用90nm工艺,代码执行速度快,价格低廉。 新的闪存子系统采用多片封装(MCP)技术,含有多种芯片组合,包括:512Mbit闪存+64Mbit PSRAM(M36P0R9060);512Mbit闪存+128Mbit PSRAM(M36P0R9070);512Mbit闪存+128Mbit LPSDRAM(M