ST推出小裸片1G/512M 65nm多电平单元NOR闪存

ST推出采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术,65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存,为客户升级现有系统提供了一条捷径,同时还提高了存储密度和产品性能。 为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求,新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz,编程速度达到1.0-MB/s,支持深关断睡眠模式,采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起,以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解