ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存

闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺,这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗,这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒(STB)、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-Mbit NAND闪存。 新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺,以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W3A2BN6E是一个采用TSOP封装的3V产品,以消费电子产品为目标应用。另两款产品256