元器件应用中的意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N

意法半导体(ST)推出了新系列功率MOSFET的第一款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优越,为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品,例如,大功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例,该产品采用ST自主开发的第二代MDmesh技术,最大通态电阻RDS(ON)仅为450 mΩ,该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降