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元器件应用中的ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND

上传者: 2020-11-25 04:27:19上传 PDF文件 46.51KB 热度 17次
意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品,这是一款600V N沟道MOSFET晶体管,0.060欧姆的导通电阻,采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A,在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中,可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率,新产品让设计工程师大幅
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