电源技术中的ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。 ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。 关键系统经常使用并联电源来提供