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NAND闪速存储器的内部结构

上传者: 2020-11-17 21:57:22上传 PDF文件 74.3KB 热度 14次
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。 图 TC58V64的内部结构 NAND闪速存储器的特点 1按顺序存取数据; 2存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行分割; 3以块为单位进行擦除操作; 4以页为单位进行编程(写人); 5页的大小存在尾数(TC28V64是roodZJ字节); 6也存在有坏块(bad block)的产品。 以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小,就是在512字节(相当于一般的硬盘扇区大小)上增加了16字节的冗余数据字
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