写周期的详细情况将在后面进行描述,这里要说明的是,写周期在闪速存储器中利用WE的存取操作不是类似RAM那样的向指定地址的直接写人操作,而是通过指令对闪速存储器进行操作。与NAND闪速存储器相同,通过一连串的指令序列,可以进行编程(数据写人)和芯片擦除操作。 为此,时序图也以包括用于编程及擦除操作时间的形式被记录。图1为编程操作,图2为擦除操作。 图1 编程操作 图2 擦除操作 另外,在图中,如编程操作,是通过向555h写人A0h、然后给予PA(编程地址)和PD(编程数据)的写人方法。但实际上,在访问555h之前,就进行几次写入操作,闪速存储器将此识别为编程
