NAND闪速存储器的自动页编程操作

自动页编程操作按照如下的程序进行: 1发出数据输人指令(80h); 2地址/数据输入; 3发出自动编程指令(10h)。 图对上述流程进行了图示。在器件的内部工作中,在2中所给予的数据不是直接写人存储器中的,而是先暂时存人页缓冲器中。通过3开始送出写入指令,然后转发到2所提供的页地址处。 图 自动页编程的操作流程 此时,在芯片内部进行写人验证。如果正常,则恢复R/B设置为Ready状态(为高电平)后正常结束。如果由于某些异常导致写人验证未正常进行的,则在内部自动进行重试,如果重试达到所规定的次数,则将R/B设置为Ready状态的同时结束异常。 欢迎转载,信息