NOR闪速存储器的写周期的概要

写周期的基本思路如图所示。因为这次是写的方向,所以OE保持高电平,由主机方面赋予数据(DQ0~DQ1)。 图 闪速存储器的写操作 当WE和CE双方都为低电平时,进行写操作的地址被提取到闪速存储器内部。而在WE和瓦双方都变成低电平后,在任何一方上升为高电平阶段(由低电平到高电平的变化中),数据被提取到闪速存储器内部。通过WE进行的写操作称为WE写控制;通过CB进行的写操作称为瓦写控制。一般情况下利用WE写控制的较多,所以图示的也是WE写控制的过程。 写操作时必须要注意的是地址及数据等各信号的建立时间。进行读操作时,只要等待地址、CE、OE确定.从目的地址中就可以发出数据,因