显示/光电技术中的SEED器件耐压特性测量

对列阵器件的耐压特性做了测量,表为测量结果。造成个别器件耐压值偏低的原因是多方面的,多量子阱i区本底浓度偏高,会使pln结构中最大电场强度增大;材料生长的不够均匀(i区掺杂浓度不均匀)会使部分器件性能不完全一致;材料中的缺陷会导致反向漏电流增大,以及器件制备工艺引入的缺陷等都会造成击穿电压偏低。为了提高列阵器件的耐压特性,应尽可能地降低多量子阱i区本底浓度,严格控制材料生长过程,使材料尽可能地均匀一致,减小材料中的缺陷,在器件制备中严格控制和净化工艺过程。 表 耐压特性测量结果 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99