基础电子中的瓷介电容器分类及性能

瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。 I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。 II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。 CC1型圆片高频瓷介电容器:适用于谐振回路及其他电路做温度补偿,耦合,隔直使用。 允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数:-150--- -1000PPM/C环境温度:-25-85C 相对湿度:+40C时达96% CT1型圆形低频瓷介电容:环境温度:-