隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用,这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力,及开关速度快等长处之外,更重要的,它也具有保护功率器件的所需功能。