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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧八大问

上传者: 2020-08-09 18:36:56上传 PDF文件 70KB 热度 12次
IGBT,PowerMOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
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