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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧.doc

上传者: 2020-07-18 13:19:41上传 DOC文件 47KB 热度 14次
IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成
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